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BUK9875-100A

更新时间： 2024-09-26 11:10:39

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12页	716K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction

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BUK9875-100A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	49 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.084 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9875-100A 数据手册

BUK9875-100A

N-channel TrenchMOS logic level FET

19 March 2014

Product data sheet

1. General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

2. Features and benefits

Low conduction losses due to low on-state resistance

Q101 compliant

Suitable for logic level gate drive sources

•

3. Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Automotive and general purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

V_GS= 5 V; T_sp= 25 °C; Fig. 2; Fig. 3

P_tot

total power dissipation T_sp= 25 °C; Fig. 1

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 8 A; T_j= 25 °C

V_GS= 10 V; I_D= 8 A; T_j= 25 °C

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 8 A; T_j= 25 °C; Fig. 12;

Fig. 13

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-

I_D= 7 A; V_sup≤ 100 V; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 5 V; T_j(init)= 25 °C; unclamped

source avalanche

energy

12 3 4 5 6 7...12

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BUK9875-100A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK9875-100A,115	NXP	功能相似	N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin
BUK9875-100A	NXP	功能相似	TrenchMOS logic level FET

与BUK9875-100A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9875-100A,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin
BUK9875-100A/CU	NXP	获取价格	POWER, FET
BUK9875-100ATRL	NXP	获取价格	7A, 100V, 0.084ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK9875-100ATRL13	NXP	获取价格	7A, 100V, 0.084ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK9880-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9880-55,115	NXP	获取价格	3.5A, 55V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK9880-55,135	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin
BUK9880-55/CU	NXP	获取价格	POWER, FET
BUK9880-55/CU,135	NXP	获取价格	Power Field-Effect Transistor
BUK9880-55/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, FET

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