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BUK9880-55115

更新时间: 2024-09-25 20:35:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 260K
描述
TRANSISTOR 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

BUK9880-55115 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.19其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION
雪崩能效等级(Eas):30 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (ID):3.5 A最大漏源导通电阻:0.08 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BUK9880-55115 数据手册

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