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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK9880-55
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BUK9880-55

更新时间： 2024-09-24 22:32:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 71K
描述
TrenchMOS transistor Logic level FET

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BUK9880-55 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-73
包装说明：PLASTIC, SC-73, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.35
其他特性：ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：30 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：8.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK9880-55 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
BUK9880-55  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode logic  
level field-effect power transistor in a  
plastic envelope suitable for surface  
mounting. The device features very  
low on-state resistance and has  
integral zener diodes giving ESD  
protection. It is intended for use in  
automotive and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
7.5  
1.8  
150  
80  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 5 V  
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
4
gate  
2
drain  
g
3
source  
4
drain (tab)  
s
2
3
1
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
55  
55  
10  
7.5  
3.5  
V
V
V
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
RGS = 20 kΩ  
-
Tsp = 25 ˚C  
On PCB in Fig.2  
Tamb = 25 ˚C  
On PCB in Fig.2  
Tamb = 100 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
On PCB in Fig.2  
Tamb = 25 ˚C  
-
ID  
ID  
Drain current (DC)  
-
2.2  
A
IDM  
Ptot  
Ptot  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Total power dissipation  
-
-
-
40  
8.3  
1.8  
A
W
W
Tstg, Tj  
Storage & operating temperature  
- 55  
150  
˚C  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
April 1998  
1
Rev 1.100  
1234567...9

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与BUK9880-55相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK9880-55,115 NXP

获取价格

 		3.5A, 55V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK9880-55,135 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin
BUK9880-55/CU NXP

获取价格

 		POWER, FET
BUK9880-55/CU,135 NXP

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
BUK9880-55/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, FET
BUK9880-55115 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BUK9880-55A NXP

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 		TrenchMOS logic level FET
BUK9880-55A NEXPERIA

获取价格

 		N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9880-55A,115 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin
BUK9880-55A/CU NXP

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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