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BUK9832-55A,115

更新时间： 2024-09-25 14:49:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	760K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin

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BUK9832-55A,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SC-73, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	7.08	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	8 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	47 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9832-55A,115 数据手册

BUK9832-55A

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 02 — 1 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

Q101 compliant

1.3 Applications

12 V and 24 V loads

Motors, lamps and solenoids

Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_sp= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_sp= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 4.5 V; I_D= 8 A;

T_j= 25 °C

mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 8 A; T_j= 25 °C

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 8 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12; see Figure 13

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 10 A; V_sup≤ 55 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

100 mJ

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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BUK9832-55ATRL	NXP	获取价格	12A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK9832-55ATRL13	NXP	获取价格	12A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK9840-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9840-55,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin
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BUK9840-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 10.7A I(D) \| SOT-223
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