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Datasheet > 暂无类别数据> BUK98180-100A
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BUK98180-100A

更新时间： 2024-11-10 22:32:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
13页 277K
描述
TrenchMOS⑩ logic level FET

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BUK98180-100A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-73
包装说明：PLASTIC, SC-73, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.28其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：16 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.6 A最大漏极电流 (ID)：4.6 A
最大漏源导通电阻：0.201 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

BUK98180-100A 数据手册

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BUK98180-100A  
TrenchMOS™ logic level FET  
Rev. 02 — 18 May 2001  
Product data  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK98180-100A in SOT223 (SC-73).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Q101 compliant  
■ 150 °C rated  
■ Logic level compatible.  
3. Applications  
■ Automotive and general purpose power switching  
◆ 12 V, 24 V and 42 V loads  
c
c
◆ Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT223 (SC-73), simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
4
d
s
2
drain (d)  
3
source (s)  
drain (d)  
g
4
1
2
3
MBB076  
MSB002 - 1  
Top view  
SOT223 (SC-73)  
1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.  
1234567...13

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		暂无描述
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 		4.6A, 100V, 0.201ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-73, 3 PIN
BUK9830-30 NXP

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 		TrenchMOS transistor Logic level FET
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