5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 44 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 31 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.037 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 123 A |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9637-100E,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK963R1-40E,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK963R2-40B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK963R3-60E | NXP |
获取价格 |
120A, 60V, 0.0033ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2 |
|
| BUK963R3-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
|
| BUK963R3-60E,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK9640 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK9640-100A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK9640-100A | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
|
| BUK9640-100A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
