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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3/2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 273 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0048 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 596 A |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK965R4-40E | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK965R8-100E | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9660-100A | NXP |
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TrenchMOS logic level FET |
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| BUK96608-55A | NXP |
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TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen |
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| BUK966R5-60E | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9675-100A | NXP |
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TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| BUK9675-100A | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9675-100A,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK9675-55 | NXP |
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TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| BUK9675-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
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