5秒后页面跳转
BUK9675-55A PDF预览

BUK9675-55A

更新时间: 2024-11-20 21:54:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 324K
描述
TrenchMOS logic level FET

BUK9675-55A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:PLASTIC, D2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.17
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):72 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.081 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):62 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):81 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BUK9675-55A 数据手册

 浏览型号BUK9675-55A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUK9675-55A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUK9675-55A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BUK9675-55A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUK9675-55A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BUK9675-55A的Datasheet PDF文件第7页 
BUK9575-55A; BUK9675-55A  
TrenchMOS™ logic level FET  
Rev. 01 — 9 February 2001  
Product specification  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK9575-55A in SOT78 (TO-220AB)  
BUK9675-55A in SOT404 (D 2-PAK).  
2. Features  
TrenchMOS™ technology  
Q101 compliant  
175 °C rated  
Logic level compatible.  
3. Applications  
Automotive and general purpose power switching:  
12 V and 24 V loads  
c
c
Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
mb  
mounting base;  
connected to drain (d)  
g
MBB076  
2
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT404 (D2-PAK)  
SOT78 (TO-220AB)  

与BUK9675-55A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK9675-55A_15 NXP

获取价格

N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9675-55-T NXP

获取价格

TRANSISTOR 19.7 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Powe
BUK9675-55T/R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 19.7A I(D) | SOT-404
BUK969R0-60E NEXPERIA

获取价格

N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK969R3-100E NXP

获取价格

N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK969R3-100E NEXPERIA

获取价格

N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9728-55A NXP

获取价格

N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK9735-55A NXP

获取价格

N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9775-55 NXP

获取价格

TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9775-55,127 NXP

获取价格

11.7A, 55V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET