是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | PLASTIC, D2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 72 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.081 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 62 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 81 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUK9675-55A_15 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET | |
BUK9675-55-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 19.7 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Powe | |
BUK9675-55T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 19.7A I(D) | SOT-404 | |
BUK969R0-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction | |
BUK969R3-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET | |
BUK969R3-100E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction | |
BUK9728-55A | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET | |
BUK9735-55A | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET | |
BUK9775-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET | |
BUK9775-55,127 | NXP |
获取价格 |
11.7A, 55V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |