5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 79 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9675-55T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 19.7A I(D) | SOT-404 |
|
| BUK969R0-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
|
| BUK969R3-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK969R3-100E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
|
| BUK9728-55A | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK9735-55A | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9775-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK9775-55,127 | NXP |
获取价格 |
11.7A, 55V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| BUK9775-55127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 11.7 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Powe |
|
| BUK9775-55A | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
