Datasheet > BUK964R2-80E

BUK964R2-80E

更新时间： 2024-11-21 21:12:07

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	215K
描述
120A, 80V, 0.0042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK964R2-80E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3/2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	485 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0042 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	740 A
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK964R2-80E 数据手册

BUK964R2-80E

D2P

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 2 — 16 May 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology. This

product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high

performance automotive applications.

1.2 Features and benefits

 AEC Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

 Repetitive avalanche rated

 True logic level gate with Vgst(th)

rating of greater than 0.5V at 175 °C

1.3 Applications

 12V, 24V and 48V Automotive

 Transmission control

systems

 Ultra high performance power

 Motors, lamps and solenoid control

 Start-Stop micro-hybrid applications

switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C; T_mb= 25 °C;

see Figure 1

120

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

357

4.2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 11

3.4

mΩ

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; V_DS= 64 V;

see Figure 13; see Figure 14

37.5

[1] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与BUK964R2-80E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK964R4-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK964R4-40B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK964R4-40B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin
BUK964R7-80E	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK964R8-60E	NXP	获取价格	100A, 60V, 0.0048ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2
BUK965R4-40E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK965R8-100E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9660-100A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK96608-55A	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen
BUK966R5-60E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction

与BUK964R2-80E相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK964R2-80E

BUK964R2-80E 技术参数

BUK964R2-80E 数据手册

与BUK964R2-80E相关器件

与BUK964R2-80E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK964R2-80E

BUK964R2-80E 技术参数

BUK964R2-80E 数据手册

与BUK964R2-80E相关器件

与BUK964R2-80E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？