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BUK964R2-55B

更新时间： 2024-11-22 11:11:31

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	989K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction

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BUK964R2-55B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	765 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK964R2-55B 数据手册

BUK964R2-55B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 03 — 4 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V and 24 V loads

 Automotive systems

 General purpose power switching

 Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 3; see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

300

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 11; see Figure 12

3.5

3.1

4.2

3.7

mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

Avalanche ruggedness

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK964R2-55B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin
BUK964R2-80E	NXP	获取价格	120A, 80V, 0.0042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2
BUK964R2-80E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK964R4-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK964R4-40B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK964R4-40B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin
BUK964R7-80E	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK964R8-60E	NXP	获取价格	100A, 60V, 0.0048ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2
BUK965R4-40E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK965R8-100E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction

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