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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 49 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 133 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9635-55A,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK9635-55-T | NXP |
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TRANSISTOR 34 A, 55 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK9635-55T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 34 A, 55 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET |
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| BUK9637-100E | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
|
| BUK9637-100E | NXP |
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31A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2 |
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| BUK9637-100E,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK963R1-40E,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK963R2-40B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK963R3-60E | NXP |
获取价格 |
120A, 60V, 0.0033ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2 |
|
| BUK963R3-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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