BU506DF

更新时间： 2024-11-14 06:44:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU506DF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BU506DF 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU506DF

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High voltage

·High-speed switching

·With integrated efficiency diode

APPLICATIONS

·Horizontal deflection circuits of colour

TV receivers.

·Line-operated switch-mode applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Base current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

1500

Open base

700

Open collector

I_CM

I_B

I_BM

Base current(peak)

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65-150

T_stg

12 3

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