BU506F

更新时间： 2024-09-26 09:02:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	102K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU506F 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BU506F 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU506F

DESCRIPTION

·High Voltage

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV

receivers and in line-operated switch-mode applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage-V_BE=0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1500

700

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

6.35

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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