BU506

更新时间： 2024-09-25 22:27:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	81K
描述
Silicon diffused power transistors

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BU506 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	700 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	100 W	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BU506; BU506D

Silicon diffused power transistors

1997 Aug 13

Product speciﬁcation

Supersedes data of December 1991

File under Discrete Semiconductors, SC06

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU506D	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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BU-5070-B-12-0	ETC	获取价格	BNC Male to Stackable Double Banana Plug
BU-5070-B-24-0	ETC	获取价格	BNC Male to Stackable Double Banana Plug