BU506D

更新时间： 2024-09-25 22:27:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	81K
描述
Silicon diffused power transistors

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BU506D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	6
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	100 W
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BU506; BU506D

Silicon diffused power transistors

1997 Aug 13

Product speciﬁcation

Supersedes data of December 1991

File under Discrete Semiconductors, SC06

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU506DF	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BU506DF	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BU506DF	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BU506F	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BU506F	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
BU-5070-B-12-0	ETC	获取价格	BNC Male to Stackable Double Banana Plug
BU-5070-B-24-0	ETC	获取价格	BNC Male to Stackable Double Banana Plug
BU-5070-B-36-0	ETC	获取价格	BNC Male to Stackable Double Banana Plug
BU-5070-B-48-0	ETC	获取价格	BNC Male to Stackable Double Banana Plug
BU-5070-B-60-0	ETC	获取价格	BNC Male to Stackable Double Banana Plug