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BU506DF

更新时间: 2024-09-25 22:27:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 87K
描述
Silicon diffused power transistors

BU506DF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84其他特性:FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:700 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):2.25JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:20 W最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

BU506DF 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BU506F; BU506DF  
Silicon diffused power transistors  
Product specification  
1997 Aug 14  
Supersedes data of February 1996  
File under Discrete Semiconductors, SC06  

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