BU505DF

更新时间： 2024-09-25 22:27:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	85K
描述
Silicon diffused power transistors

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BU505DF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
集电极-发射极最大电压：	700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	2.22	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	20 W	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BU505F; BU505DF

Silicon diffused power transistors

1997 Aug 13

Product speciﬁcation

Supersedes data of December 1991

File under Discrete Semiconductors, SC06

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU505DF/B	ETC	获取价格	TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR
BU505F	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BU505MCF	TOSHIBA	获取价格	CMOS Sensor, 2464 Horiz pixels, 2056 Vert pixels, 75fps, Rectangular
BU505MCG	TOSHIBA	获取价格	CMOS Sensor, 2464 Horiz pixels, 2056 Vert pixels, 75fps, Rectangular
BU505MG	TOSHIBA	获取价格	CMOS Sensor, 2464 Horiz pixels, 2056 Vert pixels, 75fps, Rectangular
BU506	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistors
BU506	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BU506	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BU506D	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BU506D	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors