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BSS87,115 PDF预览

BSS87,115

更新时间: 2024-10-30 20:05:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 50K
描述
BSS87 - 200 V, N-channel vertical D-MOS transistor SOT-89 3-Pin

BSS87,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-89包装说明:PLASTIC, SMD, SC-62, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:6.92外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):0.4 A最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):15 pF
JEDEC-95代码:TO-243JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSS87,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BSS87  
N-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
Product specification  
2001 May 18  
Supersedes data of 1997 June 23  

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