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BSS89

更新时间： 2024-11-17 22:48:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	82K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

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BSS89 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.1
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	240 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.29 A
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	12 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS89 数据手册

BSS 89

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.8...2.0V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSS 89

240 V

0.3 A

TO-92

SS89

Type

Ordering Code

Q62702-S519

Q62702-S619

Q62702-S385

Tape and Reel Information

BSS 89

E6288

E6296

E6325

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

240

DGR

Ω

= 20 k

240

Gate source voltage

± 14

Gate-source peak voltage,aperiodic

Continuous drain current

T = 25 °C

0.3

1.2

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

12/05/1997

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS89-18	MOTOROLA	获取价格	400mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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