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BSS89

更新时间: 2024-11-17 22:48:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSS89 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.29 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

BSS89 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSS89  
N-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
1998 Apr 24  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 20  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

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