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BSS92

更新时间： 2024-11-17 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 46K
描述
P-Channel 200-V (D-S) MOSFETs

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BSS92 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.11配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.15 A
最大漏极电流 (ID)：0.15 A最大漏源导通电阻：20 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：15 pF
JEDEC-95代码：TO-18JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS92 数据手册

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VP2020L, BSS92  
Vishay Siliconix  
P-Channel 200-V (D-S) MOSFETs  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
VP2020L  
BSS92  
–200  
–200  
20 @ V = –4.5 V  
–0.8 to –2.5  
–0.8 to –2.8  
–0.12  
–0.15  
GS  
20 @ V = –10 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D High-Side Switching  
D Ease in Driving Switches  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,  
Hammers, Displays, Memories,  
Transistors, etc.  
D Secondary Breakdown Free: –220 V D Full-Voltage Operation  
D Low On-Resistance: 11.5 W  
D Low-Power/Voltage Driven  
D Excellent Thermal Stability  
D Low Offset Voltage  
D Power Supply, Converters  
D Easily Driven Without Buffer  
D Motor Control  
D No High-Temperature  
D Switches  
“Run-Away”  
TO-226AA  
(TO-92)  
TO-92-18CD  
(TO-18 Lead Form)  
1
2
3
1
2
3
S
D
G
S
G
D
Device Marking  
Front View  
Device Marking  
Front View  
“S” VP  
2020L  
xxyy  
“S” BS  
S92  
xxyy  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
Top View  
VP2020L  
Top View  
BSS92  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
VP2020L  
BSS92  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
–200  
"20  
–0.12  
–0.08  
–0.48  
0.8  
–200  
"20  
–0.15  
–0.09  
–0.6  
1.0  
DS  
GS  
V
V
T = 25_C  
A
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T = 100_C  
A
A
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T = 25_C  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
0.32  
156  
0.4  
A
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
125  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 70210  
S-04279—Rev. E, 16-Jun-01  
www.vishay.com  
11-1  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS92-18 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
BSS92E6288 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
BSS92E-6288 INFINEON

获取价格

 		150mA, 240V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92, 3 PIN
BSS92E6296 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
BSS92E6325 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
BSS92E-6325 INFINEON

获取价格

 		150mA, 240V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92, 3 PIN
BSS95 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-202VAR
BSS97 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-202VAR
BSS98 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
BSS98E6296 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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