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BSS92

更新时间: 2024-11-17 22:39:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 84K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

BSS92 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.1
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:240 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.15 A
最大漏极电流 (ID):0.15 A最大漏源导通电阻:20 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):15 pF
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):245极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS92 数据手册

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BSS 92  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• P channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• V  
= -0.8...-2.0 V  
GS(th)  
Pin 1  
G
Pin 2  
D
Pin 3  
S
Type  
V
I
R
Package  
Marking  
DS  
D
DS(on)  
BSS 92  
-240 V  
-0.15 A  
20  
TO-92  
SS92  
Type  
Ordering Code  
Q62702-S497  
Q62702-S633  
Q62702-S502  
Tape and Reel Information  
BSS 92  
BSS 92  
BSS 92  
E6288  
E6296  
E6325  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
V
-240  
V
DS  
DGR  
R
= 20 kΩ  
-240  
GS  
Gate source voltage  
V
± 20  
GS  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 33 °C  
-0.15  
-0.6  
1
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 °C  
A
Semiconductor Group  
1
12/05/1997  

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