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BSS88

更新时间: 2024-11-17 22:48:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
7页 81K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

BSS88 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.07Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:240 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.25 A
最大漏极电流 (ID):0.25 A最大漏源导通电阻:8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):12 pF
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS88 数据手册

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BSS 88  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• V  
= 0.8...2.0V  
GS(th)  
Pin 1  
G
Pin 2  
D
Pin 3  
S
Type  
V
I
R
Package  
Marking  
DS  
D
DS(on)  
BSS 88  
240 V  
0.25 A  
8
TO-92  
SS88  
Type  
Ordering Code  
Q62702-S287  
Q62702-S303  
Q62702-S576  
Tape and Reel Information  
BSS 88  
BSS 88  
BSS 88  
E6288  
E6296  
E6325  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
V
240  
V
DS  
DGR  
R
= 20 k  
240  
GS  
Gate source voltage  
V
V
± 14  
GS  
±
Gate-source peak voltage,aperiodic  
Continuous drain current  
20  
gs  
I
A
D
T = 25 °C  
0.25  
1
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 °C  
1
A
Semiconductor Group  
1
12/05/1997  

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