Datasheet > BSS89E6288

BSS89E6288

更新时间： 2024-10-29 23:14:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	95K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSS89E6288 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.28
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	240 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	12 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

BSS89E6288 数据手册

BSS 89

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.8...2.0V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

V_DS

240 V

I_D

R_DS(on)

Ω

BSS 89

0.3 A

TO-92

SS89

Type

Ordering Code

Q62702-S519

Q62702-S619

Q62702-S385

Tape and Reel Information

BSS 89

E6288

E6296

E6325

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

240

DGR

= 20 k

Ω

240

Gate source voltage

ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883

Continuous drain current

Class 1

T = 25 ˚C

0.3

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 ˚C

1.2

Power dissipation

tot

T = 25 ˚C

Data Sheet

05.99

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

BSS89E6288 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS89	NXP	功能相似	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

与BSS89E6288相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS89E6296	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor
BSS89E6325	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor
BSS89RL	MOTOROLA	获取价格	400mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BSS89RL1	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS89RLRA	MOTOROLA	获取价格	400mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BSS89RLRB	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS89RLRE	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS89RLRF	MOTOROLA	获取价格	400mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BSS89RLRM	MOTOROLA	获取价格	400mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
BSS89RLRP	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta