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BSS89E6288

更新时间: 2024-11-17 23:14:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 95K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor

BSS89E6288 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.28
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:240 V最大漏极电流 (ID):0.3 A
最大漏源导通电阻:10 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):12 pFJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

BSS89E6288 数据手册

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BSS 89  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• V  
= 0.8...2.0V  
GS(th)  
Pin 1  
G
Pin 2  
D
Pin 3  
S
Type  
Package  
Marking  
VDS  
240 V  
ID  
RDS(on)  
BSS 89  
0.3 A  
6
TO-92  
SS89  
Type  
Ordering Code  
Q62702-S519  
Q62702-S619  
Q62702-S385  
Tape and Reel Information  
BSS 89  
BSS 89  
BSS 89  
E6288  
E6296  
E6325  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
240  
V
DS  
V
DGR  
R
= 20 k  
240  
GS  
±
20  
Gate source voltage  
V
GS  
ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883  
Continuous drain current  
Class 1  
I
A
D
T = 25 ˚C  
0.3  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 ˚C  
1.2  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 ˚C  
1
A
Data Sheet  
1
05.99  

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