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BSS159N

更新时间: 2024-11-04 22:48:31
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 223K
描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSS159N 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.11Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.23 A最大漏极电流 (ID):0.23 A
最大漏源导通电阻:3.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5.9 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.36 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS159N 数据手册

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BSS159N  
SIPMOS® Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
V DS  
Features  
60  
V
A
• N-channel  
• Depletion mode  
R DS(on),max  
I DSS,min  
8
0.13  
• dv /dt rated  
SOT-23  
Type  
Package  
Ordering Code Tape and Reel Information  
Q67042-S1488 E6327: 3000 pcs/reel  
Marking  
BSS159N  
SOT-23  
SGs  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
T A=25 °C  
Continuous drain current  
0.23  
0.18  
0.92  
A
I D,pulse  
dv /dt  
V GS  
Pulsed drain current  
Reverse diode dv /dt  
Gate source voltage  
I D=0.23 A, V DS=60 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
6
kV/µs  
V
±20  
ESD sensitivity (HBM) as per  
MIL-STD 883  
Class 1  
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
0.36  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2004-02-19  

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