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BSS159NH6327XTSA1

更新时间： 2024-11-21 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 310K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BSS159NH6327XTSA1 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.62配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.23 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5.9 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS159NH6327XTSA1 数据手册

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BSS159N  
SIPMOS® Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
V DS  
Features  
60  
8
V
Ω
A
• N-channel  
• Depletion mode  
R DS(on),max  
I DSS,min  
0.13  
• dv /dt rated  
• Available with V GS(th) indicator on reel  
• Pb-free lead-plating; RoHS compliant  
SOT-23  
Type  
Package  
Pb-free Tape and Reel Information  
Marking  
SGs  
BSS159  
BSS159  
PG-SOT-23 Yes  
PG-SOT-23 Yes  
L6327: 3000 pcs/reel  
L6906: 3000 pcs/reel sorted in V GS(th) bands1)  
SGs  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
T A=25 °C  
Continuous drain current  
0.23  
0.18  
0.92  
A
I D,pulse  
dv /dt  
V GS  
Pulsed drain current  
Reverse diode dv /dt  
Gate source voltage  
I D=0.23 A, V DS=60 V,  
di /dt =200 A/µs,  
6
kV/µs  
V
T
j,max=150 °C  
±20  
Class 0  
0.36  
ESD sensitivity (HBM) as per  
MIL-STD 883  
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
1) see table on next page and diagram 11  
Rev. 1.32  
page 1  
2006-12-11  
1234567...9

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与BSS159NH6327XTSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS159NH6327XTSA2 INFINEON

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 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS159NH6906XTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS159NL6327 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS159NL6906HTSA1 INFINEON

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