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BSS169E6906

更新时间： 2024-11-18 15:46:35

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9页	203K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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BSS169E6906 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.17 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

BSS169E6906 数据手册

BSS169

SIPMOS^®Small-Signal-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

100

• N-channel

• Depletion mode

R _DS(on),max

I _DSS,min

0.09

• dv /dt rated

• Available with V _GS(th)indicator on reel

• Pb-free lead-plating; RoHS compliant

PG-SOT-23

Type

Package

Pb-free Tape and Reel Information

Marking

SFs

BSS169

PG-SOT-23

Yes

L6327: 3000 pcs/reel

L6906: 3000 pcs/reel sorted in V _GS(th)bands¹⁾

SFs

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

0.17

0.14

0.68

I _D,pulse

dv /dt

V _GS

Pulsed drain current

Reverse diode dv /dt

Gate source voltage

I _D=0.17 A, V _DS=80 V,

di /dt =200 A/µs,

kV/µs

_j,max=150 °C

±20

ESD sensitivity (HBM) as per

MIL-STD 883

Class 0

P _tot

T _A=25 °C

Power dissipation

0.36

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

°C

¹⁾see table on next page and diagram 11

Rev. 1.6

page 1

2007-01-18

12 3 4 5 6 7...9

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与BSS169E6906相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS169H6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS169-H6327	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS169H6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS169I	INFINEON	获取价格	N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VD
BSS169L6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS169L6906	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS169N	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS17	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 75V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-39
BSS170F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 150MA I(D) \| SOT-23
BSS170FTA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta