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BSS169H6327

更新时间： 2024-11-18 19:12:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	491K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BSS169H6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.12
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.17 A	最大漏极电流 (ID)：	0.17 A
最大漏源导通电阻：	6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	7 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS169H6327 数据手册

BSS169

SIPMOS^®Small-Signal-Transistor

Product Summary

V_DS

Features

100

• N-channel

• Depletion mode

R_DS(on),max

I_DSS,min

0.09

• dv /dt rated

• Available with V _GS(th)indicator on reel

• Pb-free lead-plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to AEC61249-2-21

• Qualified according to AEC Q101

PG-SOT-23

Type

Package

Pb-free Tape and Reel Information

Marking

BSS169

PG-SOT-23

Yes

H6327: 3000 pcs/reel

SFs

H6906: 3000 pcs/reel sorted in V_GS(th)bands^{1) 1)}SFs

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

0.17

0.14

0.68

I _D,pulse

dv /dt

V _GS

Pulsed drain current

I _D=0.17 A, V _DS=80 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

kV/µs

_j,max=150 °C

Gate source voltage

ESD Class

±20

JESD22-A114-HBM

Class 0

P _tot

T _A=25 °C

Power dissipation

0.36

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

°C

¹⁾see table on next page and diagram 11

Rev. 1.8

page 1

########

12 3 4 5 6 7...9

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BSS169H6327 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS169L6327	INFINEON	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS169	INFINEON	功能相似	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

与BSS169H6327相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS169-H6327	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS169H6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS169I	INFINEON	获取价格	N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VD
BSS169L6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS169L6906	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS169N	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS17	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 75V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-39
BSS170F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 150MA I(D) \| SOT-23
BSS170FTA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSS170FTC	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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