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BSS169I

更新时间: 2024-11-19 11:15:07
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 1528K
描述
N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装,其特性为 VDS = 600 V、RDS(on) = 60 Ohm。

BSS169I 数据手册

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