5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.16 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS192 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) |
|
| BSS192 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSS192,115 | NXP |
获取价格 |
BSS192 - 240 V, P-channel vertical D-MOS transistor SOT-89 3-Pin |
|
| BSS192,135 | NXP |
获取价格 |
BSS192 - 240 V, P-channel vertical D-MOS transistor SOT-89 3-Pin |
|
| BSS192P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSS192P_06 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSS192PE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| BSS192PE6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
190mA, 250V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
|
| BSS192PH6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| BSS192PH6327FTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
