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BSS192

更新时间: 2024-11-08 22:48:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 66K
描述
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSS192 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.06
其他特性:CMOS COMPATIBLE外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:240 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.2 A最大漏极电流 (ID):0.2 A
最大漏源导通电阻:12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):15 pFJEDEC-95代码:TO-243AA
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS192 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSS192  
P-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
1997 Jun 20  
Product specification  
Supersedes data of July 1993  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

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