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BSO033N03MSG

更新时间： 2024-02-23 01:12:30

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描述
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

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BSO033N03MSG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.0033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSO033N03MSG 数据手册

BSO033N03MS G

OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

Product Summary

Features

V _DS

3.3

3.8

• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)

• Low FOM_SWfor High Frequency SMPS

• 100% Avalanche tested

R _DS(on),max

_GS=10 V

_GS=4.5 V

mΩ

I _D

• N-channel

• Very low on-resistance R _DS(on)@ V _GS=4.5 V

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

PG-DSO-8

• Qualified for consumer level application

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSO033N03MS G

PG-DSO-8

033N03MS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

10 secs steady state

Parameter

Symbol Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

_GS=10 V, T _A=25 °C

12.1

_GS=10 V, T _A=90 °C

_GS=4.5 V, T _A=25 °C

_GS=4.5 V, T _A=90 °C

14.3

11.3

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

I _AS

T _A=25 °C

154

Avalanche current, single pulse³⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T _A=25 °C

E _AS

150

±20

I _D=22 A, R _GS=25 Ω

V _GS

Power dissipation¹⁾

P _tot

T _A=25 °C

2.5

1.56

°C

T _j, T _stg

-55 ... 150

55/150/56

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Rev.1.1

page 1

2009-11-19

12 3 4 5 6 7...9

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与BSO033N03MSG相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BSO033N03MSGXUMA1	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
BSO038N03MSCG	INFINEON	OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET	获取价格
BSO038N03MSCGXUMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
BSO040N03MSG	INFINEON	OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET	获取价格
BSO040N03MSGXUMA1	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
BSO051N03MSG	INFINEON	OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET	获取价格