是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 26 weeks |
风险等级: | 2.23 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 16 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0033 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BSO038N03MSCG | INFINEON | OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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BSO038N03MSCGXUMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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BSO040N03MSG | INFINEON | OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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BSO040N03MSGXUMA1 | INFINEON | Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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BSO051N03MSG | INFINEON | OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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BSO052N03S | INFINEON | OptiMOS2 Power-Transistor |
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