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BSH202 PDF预览

BSH202

更新时间： 2024-11-15 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 142K
描述
P-channel enhancement mode MOS transistor

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BSH202 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：PLASTIC, SOT-23, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.08
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.52 A
最大漏极电流 (ID)：0.52 A最大漏源导通电阻：0.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.417 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSH202 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
P-channel enhancement mode  
MOS transistor  
BSH202  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
s
• Low threshold voltage  
• Fast switching  
VDS = -30 V  
• Logic level compatible  
• Subminiature surface mount  
package  
ID = -0.52 A  
g
R
DS(ON) ≤ 0.9 Ω (VGS = -10 V)  
d
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT23  
P-channel, enhancement mode,  
logic level, field-effect power  
transistor. This device has low  
threshold voltage and extremely  
fast switching making it ideal for  
battery powered applications and  
high speed digital interfacing.  
PIN  
DESCRIPTION  
3
1
2
3
gate  
Top view  
source  
drain  
1
2
The BSH202 is supplied in the  
SOT23  
subminiature  
surface  
mounting package.  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
-30  
-30  
± 20  
-0.52  
-0.33  
-2.1  
0.417  
0.17  
150  
V
V
V
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
RGS = 20 kΩ  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 100 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 100 ˚C  
IDM  
Ptot  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
A
W
W
˚C  
Tstg, Tj  
Storage & operating temperature  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
FR4 board, minimum  
footprint  
300  
-
K/W  
August 1998  
1
Rev 1.000  
1234567

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BSH202 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
NTS2101PT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70
NTS4101PT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70

与BSH202相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSH202,215 NXP

获取价格

 		BSH202 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
BSH202T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-236AB
BSH203 NXP

获取价格

 		P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH203,215 NXP

获取价格

 		P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
BSH203T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SOT-23
BSH204 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | SOT-23
BSH204T/R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | SOT-23
BSH205 NXP

获取价格

 		P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH205,215 NXP

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 		P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
BSH205/T1 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR MOSFET SOT-23

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