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BSH205G2

更新时间： 2024-09-30 11:13:51

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	737K
描述
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction

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BSH205G2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSH205G2 数据手册

BSH205G2

20 V, P-channel Trench MOSFET

29 April 2015

Product data sheet

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

Low threshold voltage

Low on-state resistance

Trench MOSFET technology

Enhanced power dissipation capability of 890 mW

AEC-Q101 qualified

•

3. Applications

Relay driver

•

High-speed line driver

High-side loadswitch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

-20

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-8

V_GS= -4.5 V; T_amb= 25 °C; t ≤ 5 s

V_GS= -4.5 V; I_D= -2 A; T_j= 25 °C

[1]

-2.3

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

120

170

mΩ

resistance

Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 6 cm².

[1]

12 3 4 5 6 7...16

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