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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTS2101PT1G
NTS2101PT1G PDF预览

NTS2101PT1G

更新时间： 2024-11-20 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 62K
描述
Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70

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NTS2101PT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：LEAD FREE, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：9 weeks
风险等级：0.95Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：226867
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SC-70 (SOT-323) CASE419-04 ISSUE M
Samacsys Released Date：2016-03-10 11:00:56Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：1.4 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.96 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTS2101PT1G 数据手册

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NTS2101P  
Power MOSFET  
−8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70  
Features  
• Leading Trench Technology for Low R  
Extending Battery Life  
http://onsemi.com  
DS(on)  
• −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive  
V
R
DS(on)  
Typ  
I Max  
D
• SC−70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)  
• Pb−Free Package is Available  
(BR)DSS  
65 mW @ −4.5 V  
78 mW @ −2.5 V  
−8.0 V  
−1.4 A  
Applications  
117 mW @ −1.8 V  
• High Side Load Switch  
• Charging Circuit  
• Single Cell Battery Applications such as Cell Phones,  
Digital Cameras, PDAs, etc.  
P−Channel MOSFET  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
G
V
−8.0  
8.0  
V
V
A
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−1.4  
−1.1  
−1.5  
0.29  
A
D
D
T = 70°C  
A
t ≤ 5 s T = 25°C  
A
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
W
A
D
3
Drain  
3
t ≤ 5 s  
0.33  
−3.0  
W
A
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
DM  
1
TS M G  
2
G
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
SC−70/SOT−323  
CASE 419  
T
STG  
2
1
Source Current (Body Diode), Continuous  
I
−0.46  
260  
A
Gate Source  
S
STYLE 8  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
°C  
L
(1/8″ from case for 10 s)  
TS  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
430  
375  
Units  
(Note: Microdot may be in either location)  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − t ≤ 5 s (Note 1)  
R
°C/W  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
q
JA  
JA  
R
q
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTS2101PT1  
SOT−323  
3000/Tape & Reel  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
SOT−323  
(Pb−Free)  
NTS2101PT1G  
3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 1  
NTS2101P/D  
 
12345

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NTS2101PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTS2101PT1 ONSEMI

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