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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.54 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSH201T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | TO-236AB |
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| BSH202 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode MOS transistor |
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| BSH202,215 | NXP |
获取价格 |
BSH202 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin |
|
| BSH202T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-236AB |
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| BSH203 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode MOS transistor |
|
| BSH203,215 | NXP |
获取价格 |
P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin |
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| BSH203T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SOT-23 |
|
| BSH204 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | SOT-23 |
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| BSH204T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | SOT-23 |
|
| BSH205 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode MOS transistor |
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