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BSH201,215

更新时间： 2024-09-29 14:49:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	115K
描述
BSH201 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin

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BSH201,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-236	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	2.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	2.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.54 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSH201,215 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

P-channel enhancement mode

MOS transistor

BSH201

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low threshold voltage

• Fast switching

V_DS= -60 V

• Logic level compatible

• Subminiature surface mount

package

I_D= -0.3 A

_DS(ON)≤ 2.5 Ω (V_GS= -10 V)

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT23

P-channel, enhancement mode,

logic level, field-effect power

transistor. This device has low

threshold voltage and extremely

fast switching making it ideal for

battery powered applications and

high speed digital interfacing.

DESCRIPTION

gate

Top view

source

drain

The BSH201 is supplied in the

SOT23

subminiature

surface

mounting package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

-60

± 20

-0.3

-0.19

-1.2

0.417

0.17

150

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

R_GS= 20 kΩ

T_a= 25 ˚C

T_a= 100 ˚C

T_a= 25 ˚C

T_a= 100 ˚C

I_DM

P_tot

Drain current (pulse peak value)

Total power dissipation

˚C

T_stg, T_j

Storage & operating temperature

- 55

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP.

MAX.

UNIT

R_{th j-a}

Thermal resistance junction to

ambient

FR4 board, minimum

footprint

300

K/W

August 1998

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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BSH201,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTR0202PLT1G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
NDS0605	FAIRCHILD	功能相似	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与BSH201,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSH201/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si
BSH201T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| TO-236AB
BSH202	NXP	获取价格	P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH202,215	NXP	获取价格	BSH202 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
BSH202T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| TO-236AB
BSH203	NXP	获取价格	P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH203,215	NXP	获取价格	P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
BSH203T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| SOT-23
BSH204	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 12V V(BR)DSS \| SOT-23
BSH204T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 12V V(BR)DSS \| SOT-23

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