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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NDS0605
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NDS0605

更新时间： 2024-11-08 22:23:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 65K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS0605 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.25
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1076073Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23-1Samacsys Released Date：2019-08-22 12:11:32
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.18 A
最大漏极电流 (ID)：0.18 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS0605 数据手册

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April 1995  
NDS0605  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
-0.18A, -60V. RDS(ON) = 5W @ VGS = -10V.  
Voltage controlled p-channel small signal switch.  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process has  
been designed to minimize on-state resistance, provide rugged  
and reliable performance and fast switching. They can be  
used, with a minimum of effort, in most applications requiring  
up to 0.18A DC and can deliver pulsed currents up to 1A. This  
product is particularly suited to low voltage applications  
requiring a low current high side switch.  
High density cell design for low RDS(ON)  
High saturation current.  
.
___________________________________________________________________________________________  
D
S
G
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TA = 25°C unless otherwise noted  
NDS0605  
-60  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
VDSS  
VDGR  
-60  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
VGSS  
ID  
±20  
V
A
-0.18  
-1  
0.36  
W
mW/oC  
°C  
PD  
Maximum Power Dissipation TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.9  
-55 to 150  
300  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/16" from case for 10 seconds  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
350  
°C/W  
R
JA  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS0605.SAM  
12345

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NDS0605 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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