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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.18 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS0605-MR | ETC |
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MOSFET NDS0605 MINIREEL 500PCS |
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| NDS0605S62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDS0610 | FAIRCHILD |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDS0610 | TYSEMI |
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SOT-23 TO-92 |
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| NDS0610 | TI |
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120mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| NDS0610 | ONSEMI |
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P 沟道增强型场效应晶体管，-60V，-0.12A，10Ω |
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| NDS0610/D87Z | TI |
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120mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| NDS0610/L99Z | TI |
获取价格 |
120mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| NDS0610/S62Z | TI |
获取价格 |
120mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
|
| NDS0610_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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