NDS0605_NL

更新时间： 2024-11-09 12:59:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
5页	65K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NDS0605_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SOT-23, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.18 A
最大漏极电流 (ID)：	0.18 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDS0605_NL 数据手册

April 1995

NDS0605

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-0.18A, -60V. R_DS(ON)= 5W @ V_GS= -10V.

Voltage controlled p-channel small signal switch.

These P-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process has

been designed to minimize on-state resistance, provide rugged

and reliable performance and fast switching. They can be

used, with a minimum of effort, in most applications requiring

up to 0.18A DC and can deliver pulsed currents up to 1A. This

product is particularly suited to low voltage applications

requiring a low current high side switch.

High density cell design for low R_DS(ON)

High saturation current.

___________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

T_A= 25°C unless otherwise noted

NDS0605

-60

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_DGR

-60

Drain-Gate Voltage (R_GS< 1 MW)

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

V_GSS

I_D

±20

-0.18

-1

0.36

mW/^oC

°C

P_D

Maximum Power Dissipation T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.9

-55 to 150

300

Operating and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

T_L

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/16" from case for 10 seconds

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

350

°C/W

NDS0605.SAM

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

NDS0605_NL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDS0605	FAIRCHILD	功能相似	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与NDS0605_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS0605D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS0605-F169	ONSEMI	获取价格	P 沟道增强型场效应晶体管，-60V，-0.18A，5Ω
NDS0605L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS0605-MR	ETC	获取价格	MOSFET NDS0605 MINIREEL 500PCS
NDS0605S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS0610	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS0610	TYSEMI	获取价格	SOT-23 TO-92
NDS0610	TI	获取价格	120mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS0610	ONSEMI	获取价格	P 沟道增强型场效应晶体管，-60V，-0.12A，10Ω
NDS0610/D87Z	TI	获取价格	120mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

与NDS0605_NL相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

48
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NDS0605_NL

NDS0605_NL 技术参数

NDS0605_NL 数据手册

NDS0605_NL 替代型号

与NDS0605_NL相关器件

与NDS0605_NL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NDS0605_NL

NDS0605_NL 技术参数

NDS0605_NL 数据手册

NDS0605_NL 替代型号

与NDS0605_NL相关器件

与NDS0605_NL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？