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BS170_D26Z

更新时间： 2024-09-28 15:28:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD PC开关晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 511K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

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BS170_D26Z 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.21
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A最大漏极电流 (ID)：0.5 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：10 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.83 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BS170_D26Z 数据手册

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April 1995  
BS170 / MMBF170  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
High density cell design for low RDS(ON).  
These  
N-Channel enhancement mode field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. These products have been  
designed to minimize on-state resistance while provide  
rugged, reliable, and fast switching performance. They can  
be used in most applications requiring up to 500mA DC.  
These products are particularly suited for low voltage, low  
current applications such as small servo motor control,  
power MOSFET gate drivers, and other switching  
applications.  
Voltage controlled small signal switch.  
Rugged and reliable.  
High saturation current capability.  
_______________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
TA = 25°C unless otherwise noted  
BS170  
MMBF170  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
60  
60  
VDSS  
VDGR  
V
Drain-Gate Voltage (RGS < 1MW)  
Gate-Source Voltage  
± 20  
V
VGSS  
ID  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
500  
1200  
830  
6.6  
500  
800  
300  
2.4  
mA  
PD  
Maximum Power Dissipation  
Derate Above 25°C  
mW  
mW/°C  
°C  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistacne, Junction-to-Ambient  
150  
417  
°C/W  
RqJA  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
BS170 Rev. C / MMBF170 Rev. D  
1234567...13

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BS170_D26Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BS170_D27Z FAIRCHILD

完全替代

 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 3LD, TO-92, MOLDED, 0.200 IN LINE SPAC
BS170 FAIRCHILD

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