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BLV10

更新时间: 2024-11-26 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 85K
描述
VHF power transistor

BLV10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CERAMIC PACKAGE-4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.32外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRFM-F4
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):20 W
最小功率增益 (Gp):9 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):950 MHz

BLV10 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLV10  
VHF power transistor  
August 1986  
Product specification  

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