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BLV20

更新时间: 2024-11-23 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 85K
描述
VHF power transistor

BLV20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.13
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):0.9 A
集电极-发射极最大电压:36 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRFM-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):20 W最小功率增益 (Gp):12 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):600 MHz
Base Number Matches:1

BLV20 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLV20  
VHF power transistor  
August 1986  
Product specification  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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