BLV33F

更新时间： 2024-01-23 06:09:38

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLV33F 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	133 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

BLV33F 数据手册

BLV33F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI BLV33F is Designed for

Operation in Band III TV Transposers

and Transmitter Amplifiers from

170 to 230 MHz.

FEATURES:

PACKAGE STYLE .500 6L FLG

• Gold Metalization

• Internal Input Matching

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

10 A

60 V

I_C

V_CB

V_CE

P_DISS

T_J

35 V

140 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.5 ^OC/W

1 = COLLECTOR

2 = BASE

T_STG

θ_JC

3 & 4 = EMITTER

ORDER CODE: ASI10493

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_E= 28 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 Ω

4.0

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 A

100

C_ob

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

V_CE= 25 V

I_CQ= 3.2 A

f = 225 MHz

Snd. = -7 dB

G_PE

13.5

14.5

P_REF= 16 W

Vision = -8 dB

Side Band = -16 dB

-55

IMD₃

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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