是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.89 | 最大集电极电流 (IC): | 1.7 A |
配置: | Single | 最小直流电流增益 (hFE): | 10 |
JESD-609代码: | e0 | 最高工作温度: | 200 °C |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 36 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BLW50F | ASI |
功能相似 ![]() |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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BLV10 | NXP |
功能相似 ![]() |
VHF power transistor |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLV2347 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 27V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-486A |
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BLV25 | NXP |
获取价格 |
VHF power transistor |
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BLV25 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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BLV25 | NJSEMI |
获取价格 |
VHF power transistor |
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BLV297 | BELLING |
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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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BLV2N60 | BELLING |
获取价格 |
BLV2N60 |
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BLV2N60 | ESTEK |
获取价格 |
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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BLV30 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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BLV30 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147 |
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BLV30_06 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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