Datasheet > BLV21

BLV21

更新时间： 2024-11-27 08:58:19

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	18K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BLV21 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.25
最大集电极电流 (IC)：	1.75 A	基于收集器的最大容量：	50 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

BLV21 数据手册

BLV21

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI BLV21 is Designed for

Class C, 28 V High Band Applications

up to 175 MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

FEATURES:

• Common Emitter

• P_G= 10 dB at 15 W/175 MHz

• Omnigold™ Metalization System

.112 x 45°

Ø.125 NOM.

FULL R

.125

MAXIMUM RATINGS

1.75 A

35 V

I_C

V_CEO

V_CES

V_EBO

P_DISS

T_J

65 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

4.0 V

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

36 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

4.8 °C/W

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

T_STG

θ_JC

.240 / 6.10

ORDER CODE: ASI10579

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_C= 5.0 mA

I_E= 10 mA

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

_CB= 30 V

_CE= 5.0 V

1.0

---

I_C= 200 mA

P_OUT= 15 W

5.0

h_FE

V_CB= 30 V

V_CC= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

C_OB

P_G

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. B

1/1

中文翻译

下载PDF

BLV21 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BLW50F	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLV10	NXP	功能相似	VHF power transistor

与BLV21相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLV2347	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 27V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| SOT-486A
BLV25	NXP	获取价格	VHF power transistor
BLV25	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLV25	NJSEMI	获取价格	VHF power transistor
BLV297	BELLING	获取价格	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
BLV2N60	BELLING	获取价格	BLV2N60
BLV2N60	ESTEK	获取价格	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
BLV30	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLV30	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147
BLV30_06	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR