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BLV194

更新时间: 2024-11-23 22:16:47
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恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
11页 95K
描述
UHF power transistor

BLV194 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6针数:6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.64Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F6
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:46 W
最大功率耗散 (Abs):46 W最小功率增益 (Gp):7 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLV194 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLV194  
UHF power transistor  
January 1993  
Product specification  

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