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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 16 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 46 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 46 W | 最小功率增益 (Gp)： | 7 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLV1N60 | ESTEK |
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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| BLV1N60A | ESTEK |
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N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| BLV20 | NXP |
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VHF power transistor |
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| BLV20 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| BLV20 | NJSEMI |
获取价格 |
VHF power transistor |
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| BLV2040 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 28V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-409B |
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| BLV2042 | NXP |
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UHF power transistor |
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| BLV2042T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| BLV2044 | NXP |
获取价格 |
UHF power transistor |
|
| BLV2045 | ETC |
获取价格 |
RF Power Transistors for UHF |
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