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BLV108

更新时间： 2024-09-25 03:22:15

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BLV108 数据手册

BLV108

N沟纵向MOSFET

描述:

N沟增强型VDMOS，高速开关，无二次击穿

产品应用：

ꢀ

电话机电路

继电器电路

驱动电路等

工作条件 (T=25℃)

符号

参数

极限值

200

单位

V_DSS

V_GSS

I_D

漏源电压

栅源电压

漏电流

+ 20

300

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Tj, T_SDG结温度和存储温度

热特性

-55 to +150

^oC

R_{th j-a}

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

K/W

电学特性 T_A=25^oC

符号

参数

测试条件

最小典型最大单位

BV_DSS

V_GS= 0V

I_D=10uA

源漏击穿电压

200

0.4

I_DSS

V_DS= 160V

V_GS= 0V

V_DS= 0V

零栅压时的漏极电流

栅和衬底之间的漏电流

阈值电压

+100

1.8

I_GSS

V_GS= ±20

V_DSV_GS

V_GS= 2.8

V_{GS (th)}

R_{DS (on)}

I_D=1mA

,I_D=100mA

导通电阻

Ω

http://www.belling.com.cn

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8/18/2006

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