Datasheet > BLV108

BLV108

更新时间： 2024-11-24 03:22:15

品牌	Logo	应用领域
上海贝岭 - BELLING		/
页数	文件大小	规格书
2页	90K
描述
BLV108

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BLV108 数据手册

BLV108

N沟纵向MOSFET

描述:

N沟增强型VDMOS，高速开关，无二次击穿

产品应用：

ꢀ

电话机电路

继电器电路

驱动电路等

工作条件 (T=25℃)

符号

参数

极限值

200

单位

V_DSS

V_GSS

I_D

漏源电压

栅源电压

漏电流

+ 20

300

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Tj, T_SDG结温度和存储温度

热特性

-55 to +150

^oC

R_{th j-a}

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

K/W

电学特性 T_A=25^oC

符号

参数

测试条件

最小典型最大单位

BV_DSS

V_GS= 0V

I_D=10uA

源漏击穿电压

200

0.4

I_DSS

V_DS= 160V

V_GS= 0V

V_DS= 0V

零栅压时的漏极电流

栅和衬底之间的漏电流

阈值电压

+100

1.8

I_GSS

V_GS= ±20

V_DSV_GS

V_GS= 2.8

V_{GS (th)}

R_{DS (on)}

I_D=1mA

,I_D=100mA

导通电阻

Ω

http://www.belling.com.cn

- 1 -

Total 2 Pages

8/18/2006

中文翻译

下载PDF

与BLV108相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLV11	NXP	获取价格	VHF power transistor
BLV11	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLV11	NJSEMI	获取价格	VHF power transistor
BLV12	NXP	获取价格	VHF power transistor
BLV15BE	ETC	获取价格	WARTUNGSMITTEL BLOC LUBE GRUEN
BLV193	NXP	获取价格	UHF power transistor
BLV194	NXP	获取价格	UHF power transistor
BLV1N60	ESTEK	获取价格	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
BLV1N60A	ESTEK	获取价格	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
BLV20	NXP	获取价格	VHF power transistor