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BLV11

更新时间: 2024-11-23 22:27:47
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恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
11页 85K
描述
VHF power transistor

BLV11 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.13
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRFM-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):36 W
最小功率增益 (Gp):8 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):850 MHzBase Number Matches:1

BLV11 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLV11  
VHF power transistor  
August 1986  
Product specification  

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